该晶体管具有高功率增益，低噪声特性，大动态范围和理想的电流特性。
主要用于UHF低噪声功率管，主要用于VHF，UHF，CATV，无线遥控，RF模块等高频宽带低噪声放大器。
该芯片原产于NEC，目前在中国生产。
基于公司现有的军用微波相控阵雷达功率放大器生产技术，北京鼎林电子为民用市场开发了一系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等。
其性能指标与NEC和飞利浦的相同。
击穿电压：V（BR）CEO = 12V，V（BR）CBO = 20V，V（BR）EBO = 3.0V DC放大系数hFE：40~250 @ VCE = 3V，IC = 7mA收集器 - 基极关断电流ICBO：100nA（最大值）发射极基极关断电流IEBO：100nA（最大值）特征频率fT：5.0GHz@VCE=3V，IC = 7mA集电极允许电流IC：0.1（A）设置最大值允许的电极功耗PT：0.2（W）插入功率增益OS21O：9dB @ IC = 7mA，VCE = 3V，f = 1GHz噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA，VCE = 3V，f = 1GHz反馈电容Cre：0.65pF @ IC = ic = 0，VCB = 10V，f = 1MHz。
储存温度Tstg：-65~150°C封装：SOT-23，或SOT-323，或SC-59功率特性：中功率极性：NPN型结构：扩散材料：硅（Si）包装材料：塑料封装
